MOCVD 是什么
作者：大山发布时间：2023-02-09浏览：465
MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积metal-organic Chemical Vapor DePosition的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长VPE的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术.它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压10-100Torr下通H2的冷壁石英不锈钢反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座衬底基片在石墨基座上方,H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。 随着化合物半导体器件如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN蓝光LED市场的不断扩大，MOCVD系统的需求量不断增长。目前国际上实力最为雄厚的MOCVD系统制造商有:德国Aixtron公司、美国的Emcore公司、英国的Thomass~1999年被Aixtron兼并等。因为MOCVD系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性，因此不同厂家的MOCVD系统最主要的区别在于反应室结构。Aixtron采用行星反应Planetary Reactor，Emcore采用TurboDisc反应室该业务己出售给Veeeo公司、Thomas Swan该公司于2003年2月份被Aixtron兼并采用 Closed Coupled ShowerheadCCS反应室。
目前国内拥有的进口MOCVD系统数十台，其中 Aixtron MOCVD系统和Emcore MOCVD系统占绝大多数，有少量的 Thomas Swan MOCVD系统、法国ASM MOCVD系统和日本RIPPON SANSO MOCVD系统，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。 国内只有中国科学院光机所有能力制造该设备。 该设备是生产LED半导体的主要设备。
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