k2611和k2611b有什么区别？
作者：烟栀发布时间：2023-03-02浏览：462
k2611和k2611b有什么区别？2sk2611场效应管 ,主要参数是900V/9A，常用于电焊机电路。2SK727场效应管，主要参数是900V/5A ，功率100W， TO3P封装形式。
两个型号管子参数不同，K2611可以代替K727。
k2611是场效应管，可以用K2645场效应管代换。K2611的参数：N沟 900V 9A 150W 1.1欧K2645的参数：N沟 600V 9A 50W 1.2欧根据这两个管子的参数比较，可以看出，2645可以代替2611。k2611和k3878两个场效应管参数看能不能替换有奖励写回答共2个回答simonncc高粉答主每个回答都超有意思的聊聊关注成为第1219位粉丝可以的。拓展：1、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。2、历史场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。
